Das Fachgebiet befasst sich mit Technologien zur Herstellung von siliziumbasierten Schaltungen für Höchstfrequenzanwendungen. Schwerpunkt sind Si Halbleitertechnologien für sehr hohe Frequenzen für Anwendungen in der Kommunikationstechnik und Sensorik. Auf der Basis von modernen BiCMOS Technologien werden Forschungsarbeiten zur Integration von Modulen mit zusätzlicher Funktionalität durchgeführt. Beispiele dafür sind die Integration von Elektronik und Photonik (Si Photonics) oder die Integration von MEMS (Micro-Electro-Mechanical-System) Komponenten. Zu den Arbeiten des Fachgebietes gehören die Erforschung und Entwicklung von mikro- und nanotechnologischen Prozessschritten und deren Integration in die Si Halbleitertechnologie. Die Forschungsarbeiten werden in enger Zusammenarbeit mit dem IHP in Frankfurt (Oder) durchgeführt.

Das IHP verfügt als ein internationales Kompetenzzentrum für SiGe Höchstfrequenztechnologien über eine moderne Halbleiterprozesslinie. Der industriekompatible Reinraum ist mit neuester Halbleiterprozesstechnik ausgerüstet, die für die Herstellung von Forschungsmustern und Prototypen genutzt wird. Das IHP verfügt über fortschrittliche Technik zur Material- und Bauelementecharakterisierung. Die Forschungsergebnisse werden in nationalen und von der EU geförderten Forschungsprojekten und in enger Zusammenarbeit mit der Industrie erarbeitet. Einen Überblick über die Forschungsschwerpunkte und zu gegenwärtig bearbeiteten Forschungsprojekten finden Sie hier.